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单层芯片电容的制备方法 -澳门永利游戏登入_澳门永利皇宫棋牌下载-澳门永利游戏最新网站
发布者 : admin 发布时间 : 2020/08/11 09:08:27


单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面,具有量大面广的特点。随着科学技术的不断进步,对于单层芯片电容的质量可靠性提出了更高的要求。目前,用普通方法制备的单层芯片电容普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷。特别是在制备过程中,陶瓷制备气孔缺陷、陶瓷金属化过程附着力小和切割过程带来基体机械损伤等缺陷,严重影响了产品的可靠性,难以满足客户的需求。

为解决上述技术缺陷,澳门永利游戏最新网站为大家介绍一款单层芯片电容及其制备方法,其包含第一电极板、第二电极以及基体陶瓷层。第一电极板由依次铺设的第一金电极层、第一镍电极层以及第一钛钨合金过渡层构成;第二电极板由依次铺设的第二金电极层、第二镍电极层以及第二钛钨合金过渡层构成。其具体的制备方法如下:


一、基片外观检查和吸水率检测

检查介质陶瓷基片是否表面色泽均匀、平整、无裂痕、毛刺等;同时,介质陶瓷基片的吸水率应当处于为0.08%~0.35% 的范围内。


二、清洗陶瓷基片

将用于基片清洗的洗片盒子用去离子水洗净;将陶瓷基片放入洗片盒子中,用无水酒精进行清洗。超声波电压调为150±50V,清洗时间为20±2min,之后用棉签轻轻擦拭陶瓷基片;再放入超声波清洗机中进行用清洗剂(浓度为5%)清洗,超声波输出电压调150±50V,清洗时间为20±2min,必须浸没所有基片;最后,用去离子水清洗20±2min,在加热至100±3℃的水浴炉中清洗。清洗完毕后,将基片取出。


三、烧结

将所有基片放入高温炉中烧结,烧结温度为600±100℃,保温时间为60±30min。


四、真空溅射

设置溅射参数,对溅射机进行腔体加热,对溅射机进行腔体加热的温度为150℃~400℃。基片采用自转和公转方式,提高膜厚致性,采用直流溅射的方式进行溅射,同时采用在线监测系统,实时监测溅射膜厚。先溅射过渡层钛钨合金靶材,再溅射Au靶材,然后溅射Ni靶材。其中,溅射过渡层钛钨合金靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为100s~600s;溅射Au靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为800s~1200s;溅射Ni靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为2800s~3800s。真空溅射完成后,关掉加热装置,待炉温冷却至少8h后,将基片取出。


五、热处理

将溅射完成的基片进行真空热处理,真空度高于10-2pa,真空热处理温度为200℃~700℃,热处理时间为20~72h。


六、切割

将平整的陶瓷基片粘接在蓝膜上,设置主轴的转速和切割速度进行切割。其中,主轴转速设置为26000~34000转/分,切割速度设置为0.3~0.8mm/s;切割时先进行小样切割,依据小样产品电性能进行切割尺寸参数调整,提高产品的命中率。切割后剔除边角料;用酒精脱水,采用70℃~150℃的温度,烘干时间设置为30min。


七、分选

对单层芯片电容进行外观、电容量和损耗分选,剔除不合格品。


八、对芯片电容进行100%温度冲击和电压处理筛选。


九、包装

将产品装入华夫托盘后进行入盒包装。


这款单层芯片电容及其制备方法,在传统制造方法的基础上增加了基片吸水率的测试,在基片清洗工序后增加了基片烧结工序进一步去除杂质,有效筛选了基片质量和提高了真空溅射工序电极附着力。同时,在真空溅射关键工序中增加了在线测试系统,有效控制了各种材料溅射层厚度,避免了设备参数波动带来影响,提高了产品的一致性和可靠性。在陶瓷金属化过程中,采用全溅射方式,减少了电镀工序带来的影响。






参考数据:


CN107689298A《一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器》

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