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IGBT发展历程 -澳门永利游戏登入_澳门永利皇宫棋牌下载-澳门永利游戏最新网站
发布者 : admin 发布时间 : 2020/10/27 09:10:22



广东澳门永利游戏最新网站科技有限公司专注于IGBT用NTC热敏电阻芯片的研发和生产已经13年了,我司采用先进的半导体制程,结合自主知识产权,确保了热敏电阻芯片的高精度、高可靠、高灵敏。


IGBT集双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)及金属氧化物半导体场效应晶体管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的优点于一身,既有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,又有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点。因此,IGBT在高压、大电流、高速等方面是其他功率半导体器件不可比拟的,其是电力电子领域仲较为理想的开关器件,也是未来应用发展的主要方向。


20世纪80年代至今,IGBT芯片经历了第五代至第六代的产品升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),各方面的指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为最初的四分之一,工艺线宽从5微米降到了0.5微米,通态饱和压降3伏降到了1伏,关断时间也变得更快,从0.5微秒降到了0.15微秒,功率损耗也更低,断态电压也从600V提高到了6500V以上。


根据中国产业信息网的数据,全球前五大IGBT厂商的市场份额合计达74%,同时,从400V及以下的常规IGBT市场到4500V以上的高端IGBT市场,海外厂商的IGBT产品的市场优势地位均十分明显。从低、中、高压IGBT市场来看,大部分的厂商都提供600~1300V中压范围内的IGBT分立和模块解决方案,只有少数厂商专门从事低压分立IGBT市场。


IGBT产业链一共可以分为四部分,芯片设计、芯片制造、模块设计以及制造封闭性测试。其中,芯片设计和模块设计以及工艺设计都有非常高的技术壁垒,需要真正专业化的研发团队和长时间的技术积累。近几年中国IGBT产业在国家政策推动和市场牵引下得到迅速发展,产业链逐步完善。从我国IGBT企业目前的竞争局面来看,制造和封测模组环节竞争力较强,以三大半导体厂商为主导的晶圆代工制造企业已经具备了8~12寸IGBT芯片生产的技术,并积极推进国产制造端的升级。但是在芯片设计端相对薄弱,只有少数的几家公司具备竞争力。与集成电路相比,功率半导体也同样存在集成元件制造商(IDM,Integrated Device Manufacturer)和无晶圆厂(Fab-less)两种经营模式。






参考数据:


深度行业研究乐晴智库精选《IGBT:功率半导体核心元器件》


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